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详细信息
| 产品种类: | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 | |
| 制造商: | NXP | |
| 晶体管极性: | N-Channel | |
| Id-连续漏极电流: | 90 mA | |
| Vds-漏源极击穿电压: | - 500 mV, + 65 V | |
| 技术: | Si | |
| 增益: | 21.7 dB | |
| 输出功率: | 1.26 W | |
| ***大工作温度: | + 150 C | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | PLD-1.5W | |
| 封装: | Reel | |
| 商标: | NXP / Freescale | |
| ***小工作温度: | - 40 C | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| 工作频率: | 100 MHz to 3.6 GHz | |
| 类型: | RF Power MOSFET | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | 10 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.2 V | |
| 单位重量: | 280 mg |
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